| 摘要 |
一非晶形矽薄膜电晶体和一具有该非晶形矽TFT之位移暂存器包括一第一导通区域，一第二导通区域和一第三导通区域。第一导通区域形成于一与一基板间隔开来一第一距离之第一平面上。第二导通区域形成于一与一基板间隔开来一第二距离之第二平面上。第二导通区域包括一主体导通区域和二手状导通区域，其从主体导通区域之二末端延伸以形成一U形状。第三导通区域形成于第二平面上。第三导通区域包括一延长部份。延长部份配置于第二导通区域之二手状导通区域之间。非晶形矽TFT和具有该非晶形TFT之移位暂存器减少了一介于闸极电极和汲极电极间之寄生电容。 |
