| 摘要 |
提供一种半导体装置及其制造方法，能够避免在闸极电极的弯曲部蚀刻到半导体层。半导体装置具备有支持基板3、设置于支持基板内以隔离出元件区域的元件隔离绝缘膜4。第一闸极绝缘膜11以及膜厚较第一闸极绝缘膜之膜厚为厚的第二闸极绝缘膜12设置于元件区域内之支持基板上。闸极电极G具备有在第一闸极绝缘膜上往第一方向延伸的第一部分及从第一部分往与第一方向不同之第二方向延伸的第二部分，其中形成第一部分与第二部分的内角的部分设置于第二闸极绝缘膜上。源极／汲极扩散层S、D设置于支持基板内且夹着闸极电极之第一部分下方的通道区域。 |
