沟渠式功率型金氧半场效电晶体的制造方法

摘要

一种沟渠式功率型金氧半场效电晶体的制造方法，先对设有第一掺杂区域及第二掺杂区域之矽基材进行第一微影蚀刻，以形成沟渠且以矽基材作为汲极。接着依序于第二掺杂区域形成闸氧化层及复晶矽层，以形成闸极。然后进行第二微影蚀刻，以覆盖罩幕层于复晶矽层上，并且曝露沟渠之间的第二掺杂区域，其中曝露的第二掺杂区域定义为基极区域。接着蚀刻复晶矽层，以曝露出闸氧化层，同时蚀刻基极区域，去除一部份的第二掺杂区域，以曝露出第一掺杂区域，形成自动对准的源极。最后在源极区域制作接触窗，以形成沟渠式功率型金氧半场效电晶体。