金属斜角蚀刻结构及其制法和以该方法制作薄膜电晶体阵列中源极/汲极及闸极及其结构

摘要

本发明揭示一种金属斜角蚀刻的结构及其制成方法，并将此方法施行于薄膜电晶体阵列中源极／汲极及闸极之制造。此用于金属斜角蚀刻的方法步骤包含：提供一基底；于上述基底上形成一具有相对上述基底面法线方向成长之柱状(columnar)结晶所构成之第一金属层；于上述第一金属层上形成一具任意定向之细微晶粒(finegrain)结晶构成之第二金属层；形成并定义一罩覆层于上述之第二金属层上；再以一蚀刻程序去除未被该罩覆层所覆盖之部分的第一金属层及第二金属层，以得到一倾斜侧面(taperprofile)。