摘要 |
本发明系一种薄膜形成装置,藉由电浆CVD(化学气相沉积法),于配置在成膜室(15)内的基板(300)上形成薄膜的薄膜形成装置(6),系在成膜室(15)中设置分别设有电浆生成用电极(40)的多数的薄膜形成领域(17u、17v、17w),并设有对该电极(40)提供电力之电力供给系统(36);以及使电力供给系统(36)得以选择性地将电力连接至薄膜形成领域(17u、17v、17w)之各个电极(40)的切换装置(34)。藉由上述构造,除了可提供理想之电力供给系统、气体供给系统以及排气系统之外,亦提供一种薄膜形成装置、薄膜形成方法以及薄膜形成系统,可藉由调整薄膜形成装置之稼动状态,防止积层膜形成步骤之生产效率的恶化,以达到降低薄膜形成装置以及薄膜形成系统的成本的目的,同时又能够简化电力供给系统并实现设置面积的省空间化。 |