半导体记忆装置及其制造方法

摘要

本发明提供一种半导体记忆装置，其包含：第一导电型之半导体基板；及数个记忆胞，其包含形成于半导体基板上之岛状半导体层，及形成于该岛状半导体层侧壁周围之全部或一部分之电荷存储层及控制闸；其中数个记忆胞系串联配置，构成记忆胞之岛状半导体层具有对半导体基板之水平方向阶段性不同之剖面积，且具有在岛状半导体层之对半导体基板之水平面之至少一部分区域可使电荷通过之绝缘膜。