发明名称 一种覆晶封装结构及其制造方法
摘要 本发明系利用涂布一区块或多区块散热膏的方式,于覆晶晶片与封装基板之间制作一个或多个散热块,或是于覆晶晶片的工作面制作大面积的焊料凸块,又或是于封装基板的工作面制作大面积的焊料凸块,藉由晶片与基板大区域的接触来增加散热路径,进而达到提升覆晶封装结构散热速率的目的。应用本发明之覆晶封装结构及其制作方法于实际生产线时,不仅可以避免散热路径太集中所引发之元件被破坏的问题,晶片的工作面也可以承受更大的电流与热应力。
申请公布号 TW200418158 申请公布日期 2004.09.16
申请号 TW092105015 申请日期 2003.03.07
申请人 威盛电子股份有限公司 发明人 许志行
分类号 H01L23/34;H01L23/492 主分类号 H01L23/34
代理机构 代理人 许锺迪
主权项
地址 台北县新店市中正路五三三号八楼