Chemisches Dampfabscheidungsverfahren mit induktiv gekoppeltem Plasma, Verwendung des Verfahrens zum Herstellen von Dünnschichttransistoren und durch das Verfahren hergestellte Dünnschichten aus amorphen Silizium,申请号DE1997111268-传众专利搜索

发明名称	Chemisches Dampfabscheidungsverfahren mit induktiv gekoppeltem Plasma, Verwendung des Verfahrens zum Herstellen von Dünnschichttransistoren und durch das Verfahren hergestellte Dünnschichten aus amorphen Silizium
摘要
申请公布号	DE19711268(B4)	申请公布日期	2004.09.16
申请号	DE1997111268	申请日期	1997.03.18
申请人	BOE-HYDIS TECHNOLOGY CO., LTD.;JANG, JIN	发明人	JANG, JIN;KIM, JAE-GAK;CHO, SE-IL
分类号	C23C16/50;C23C16/24;C23C16/34;C23C16/44;C23C16/507;H01J37/32;H01L21/20;H01L21/205;H01L21/31;H01L21/314;H01L21/318;H01L21/336;H01L29/786;(IPC1-7):C23C16/505;H01L33/00	主分类号	C23C16/50
代理机构		代理人
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