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Es werden weitere Varianten des Verfahrens zum Einätzen von Strukturen in einen Ätzkörper (19), insbesondere von mit einer Ätzmaske lateral exakt definierten Ausnehmungen in einen Siliziumkörper, mittels eines Plasmas gemäß DE 10145297.7 vorgeschlagen. Daneben wird die Verwendung dieses Verfahrens beim Einbringen von Strukturen, insbesondere von Trenchgräben mit hohem Aspektverhältnis, in eine dielektrische Schicht oder einen dielektrischen Grundkörper sowie in eine Schicht aus Silizium vorgeschlagen, wobei im Fall der Schicht aus Silizium nach dem Erzeugen der Strukturen zumindest bereichsweise eine isotrope Unterätzung und/oder eine isotrope Opferschichtätzung, insbesondere unter Verwendung von Fluorradikalen oder einer hochoxidierenden Fluorverbindung wie ClF¶3¶, vorgenommen wird.
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