| 发明名称 |
ION-SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR AND METHOD FOR PRODUCING AN ION-SENSITIVE FIELD EFFECT TRANSISTOR |
| 摘要 |
<p>Ein ionensensitiver Feldeffekttransistor umfasst ein Substrat, auf dem ein Source-Bereich (14) und ein Drain-Bereich (16) gebildet ist. Der ionensensitive Feldeffekttransistor weist über einem Kanalbereich (30) ein Gate mit einer sensitiven Schicht (32) auf, das ein Metalloxidnitridgemisch und/oder eine Metalloxidnitridgemischverbindung umfasst.</p> |
| 申请公布号 |
WO2004079355(A1) |
申请公布日期 |
2004.09.16 |
| 申请号 |
WO2003EP02359 |
申请日期 |
2003.03.07 |
| 申请人 |
FRAUNHOFER-GESELLSCHAFT ZUR FOERDERUNG DER ANGEWANDTEN FORSCHUNG E.V:;KUNATH, CHRISTIAN;KURTH, EBERHARD |
发明人 |
KUNATH, CHRISTIAN;KURTH, EBERHARD |
| 分类号 |
G01N27/333;G01N27/414;(IPC1-7):G01N27/414 |
主分类号 |
G01N27/333 |
| 代理机构 |
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代理人 |
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| 主权项 |
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| 地址 |
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