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发明名称 Herstellungsverfahren eines Halbleiter-Substrats
摘要
申请公布号 DE69825517(D1) 申请公布日期 2004.09.16
申请号 DE19986025517 申请日期 1998.03.26
申请人 CANON K.K., TOKIO/TOKYO 发明人 IWASAKI, YUKIKO;NAKAGAWA, KATSUMI;YONEHARA, TAKAO;NISHIDA, SHOJI;SAKAGUCHI, KIYOFUMI
分类号 H01L27/12;H01L21/02;H01L21/20;(IPC1-7):H01L21/20 主分类号 H01L27/12
代理机构 代理人
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