发明名称 |
Verfahren zur Herstellung einer leitenden Barrierenschicht mit verbesserter Bedeckung innerhalb kritischer Öffnungen |
摘要 |
Eine leitende Barrierenschicht kann in Öffnungen mit großem Aspektverhältnis mittels einer zweistufigen inonisierenden Sputter-Abscheidung gebildet werden. Der erste Schritt wird bei geringem Druck und geringer Vorspannungsleistung durchgeführt, um eine gute Abdeckung oberer Bereiche der Öffnungen zu erreichen. In dem zweiten Schritt werden die Vorspannungsleistung und der Druck erhöht, um das Richtungsverhalten der Partikel zu verbessern, während gleichzeitig die Streuereignisse vermehrt werden, so dass eine erhöhte Abscheiderate an kritischen Strukturbereichen erreicht wird, wodurch eine gute Abdeckung unter Seitenwandbereich erzielt wird.
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申请公布号 |
DE10308968(A1) |
申请公布日期 |
2004.09.16 |
申请号 |
DE20031008968 |
申请日期 |
2003.02.28 |
申请人 |
ADVANCED MICRO DEVICES, INC. |
发明人 |
FRIEDEMANN, MICHAEL;KAHLERT, VOLKER |
分类号 |
C23C14/34;H01L21/285;H01L21/768;(IPC1-7):H01L21/285;H01L21/336 |
主分类号 |
C23C14/34 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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