| 发明名称 | 溅射靶和透明导电膜 | ||
| 摘要 | 含有氧化铟与氧化锌所组成的In<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB> (ZnO)<SUB>m</SUB> [式中的m表示2～7的整数]所表示的六方晶层状化合物、还含有具有正四价以上原子价的第三种元素的氧化物0.01～1原子％的溅射靶、和使用该靶进行制膜形成的透明导电膜。因此可以提供体积电阻率低且稳定性好可以进行溅射的溅射靶、和使用该靶进行制膜所得的蚀刻加工性优异的透明导电膜。 | ||
| 申请公布号 | CN1529766A | 申请公布日期 | 2004.09.15 |
| 申请号 | CN02814292.6 | 申请日期 | 2002.05.24 |
| 申请人 | 出光兴产株式会社 | 发明人 | 井上一吉;松崎滋夫 |
| 分类号 | C23C14/34;C23C14/08;C04B35/00 | 主分类号 | C23C14/34 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 陈昕 |
| 主权项 | 1.溅射靶，其含有氧化铟与氧化锌所组成的In2O3(ZnO)m[式中，m是2～7的整数]表示的六方晶层状化合物，还含有具有正四价以上原子价的第三种元素的氧化物0.01～1原子％。 | ||
| 地址 | 日本东京 | ||