发明名称 | 制造薄膜致动的反射镜阵列的方法 | ||
摘要 | 制造M×N块薄膜致动的反射镜的阵列的方法,包括:制备一有源矩阵;淀积一钝化层及一蚀刻剂阻挡层;淀积一薄膜待除层;建立M×N对空的空腔的阵列及一连续的待除区,从而形成组合层;构成M×N个致动的反射镜结构的阵列,各该结构包含第一薄膜电极、薄膜电致位移件、第二薄膜电极、弹性件;及清除薄膜待除层,从而构成M×N块薄膜致动的反射镜的阵列。由于等切割位于连续的待除区上方,在清除待除区时不会影响钝化层及有源矩阵。 | ||
申请公布号 | CN1166965C | 申请公布日期 | 2004.09.15 |
申请号 | CN97112141.9 | 申请日期 | 1997.05.23 |
申请人 | 株式会社大宇电子 | 发明人 | 田容培 |
分类号 | G02B5/124;G02B26/08 | 主分类号 | G02B5/124 |
代理机构 | 永新专利商标代理有限公司 | 代理人 | 蹇炜 |
主权项 | 1、一种用于制造供在光学投影系统中使用的M×N块薄膜致动的反射镜的阵列的方法,其中M与N为整数,该方法包括下述步骤:制备包含一块基板及M×N个连接端的一个阵列的一个有源矩阵;在该有源矩阵顶上相继淀积一个蚀刻剂阻挡层及一个薄膜待除层;在薄膜待除层中形成M×N对空的空腔的一个阵列及一个连续的待除区,从而形成一个组合层;在组合层顶上淀积由绝缘材料制成的一个弹性层,各空的空腔中填充绝缘材料;在弹性层顶上淀积一个第二薄膜层;以下述方式将第二薄膜层等切割成M×N个第二薄膜电极的一个阵列,即各第二薄膜电极互相电隔离,并且等切割位于连续的待除区的上方;淀积一个薄膜电致位移层及一个第一薄膜层,从而构成一个多层结构;形成M×N个导线管的一个阵列;将多层结构制成M×N个致动的反射镜结构的一个阵列,直到暴露连续的待除区为止,其方式为各致动的反射镜结构包含一个第一薄膜电极、一个薄膜电致位移件、一个第二薄膜电极及一个弹性件;以及清除连续的待除区,从而构成M×N块薄膜致动的反射镜的阵列。 | ||
地址 | 韩国汉城 |