| 发明名称 | 隧道结结构及其制造方法和磁敏传感器 | ||
| 摘要 | 提供一种隧道结结构。第一磁性层形成于支撑衬底上。隧道绝缘层设置于第一磁性层上，隧道绝缘层含作为其一种组分的金属元素。第二磁性层设置于隧道绝缘层上。防止扩散层设置于第一磁性层和隧道绝缘层之间。防止扩散层抑制第一磁性层中的金属原子与隧道绝缘层中的金属原子的相互扩散。隧道绝缘层和防止扩散层都具有允许隧道电流在第一和第二磁性层之间流动的厚度。 | ||
| 申请公布号 | CN1167145C | 申请公布日期 | 2004.09.15 |
| 申请号 | CN98108447.8 | 申请日期 | 1998.05.15 |
| 申请人 | 富士通株式会社 | 发明人 | 佐藤雅重;菊地英幸;小林和雄 |
| 分类号 | H01L43/00;G11B5/33;G11B5/37 | 主分类号 | H01L43/00 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种隧道结结构，包括：形成于支撑衬底上的第一磁性层；设置于第一磁性层上的隧道绝缘层，该隧道绝缘层含作为其组分的金属元素；设置于隧道绝缘层上的第二磁性层；及设置于第一磁性层和隧道绝缘层间的防止扩散层，该层由抑制第一磁性层中的金属原子和隧道绝缘层中的金属原子相互扩散的材料构成，其中隧道绝缘层和防止扩散层每层都有允许隧道电流在第一和第二磁性层中流动的厚度。 | ||
| 地址 | 日本神奈川 | ||