可降低封装应力对IC参数偏移影响的半导体装置及制造方法

摘要

一种可降低封装应力对IC参数偏移影响的半导体装置及制造方法，是于硅芯片上具有第一绝缘层，第一绝缘层上具有第一金属导线层，第一金属导线层上具有一第一保护层，第一保护层上具有第二保护层，第二保护层则具有多个透空孔，而该第一金属导线层与第二保护层透空孔相对处具有一面积较透空孔为大的空气泡空洞，使第二保护层透空孔与第一金属导线层间以空气作隔离，当芯片以塑胶树脂封装时，利用塑胶树脂本身的黏滞力，封住透空孔开口，不填充于空气泡空洞中，使塑胶树脂与第一金属导线层间以空气作隔离，硅芯片上相对于空气泡空洞位置的高精密度或高灵敏度集成电路元件可降低受到封装材料应力所产生的压电效应，达到提高IC制造合格率目的。

主权项

1、一种可降低封装应力对IC参数偏移影响的半导体装置，其特征是：至少在一硅芯片上具有第一绝缘层，该第一绝缘层上则具有一第一金属导线层，并于该第一金属导线层上具有一第一保护层，该第一保护层上并具有一第二保护层，该第二保护层则具有多个透空孔，而该第一保护层与第二保护层透空孔相对处则具有一面积较透空孔为大的空气泡空洞，以使第二保护层透空孔与第一金属导线层间以空气作隔离；硅芯片上有离子极区，第一绝缘层有一接触窗口，第一金属导线层形成电极的部分通过第一绝缘层的接触窗口与硅芯片的离子极区接触。