由一维纳米线阵列结构温差电材料制造的微温差电池

摘要

本发明公开了一种由一维纳米线阵列结构温差电材料制造的微温差电池。微温差电池外形为薄片体，其厚度控制在20μm～3mm的范围。微温差电池主体由上、下两块板构成，具有层状结构，总体结构顺序为C层→B层→A层→B层→C层。上板由C层和B层两个材料层组成，下板依次由C层、B层和A层三个材料层组成。其特征在于：A层为一维纳米线阵列结构温差电材料层，由大量P型节和N型节纳米线阵列温差电材料组成，A层厚度在5μm～500μm的范围，B层为导电材料层，C层为封装导热绝缘材料层。本发明的微温差电池体积小，厚度薄，特别适用于高、精、尖技术领域中的微型装置系统。

主权项

1、一种由一维纳米线阵列结构温差电材料制造的微温差电池，该微温差电池的外形为薄片体，其厚度控制在20μm～3mm的范围，微温差电池主体由上、下两块板构成，具有层状结构，总体结构顺序为C层→B层→A层→B层→C层，上板由C层和B层两个材料层组成，下板依次由C层、B层和A层三个材料层组成，其特征在于，A层为一维纳米线阵列结构温差电材料层，由大量P型节和N型节纳米线阵列温差电材料组成，A层厚度在5μm～500μm的范围，B层为导电材料层，C层为封装导热绝缘材料层。