| 发明名称 | 纳米金属氧化线单电子存贮单元 | ||
| 摘要 | 一种纳米金属氧化线单电子存贮单元，采用超薄纳米金属氧化线作为单电子存贮单元的有源区，其厚度为3nm、宽度为1个电子局域长度ξ、长度为2～5个ξ，有源区与上层写线之间有SiO<SUB>2</SUB>绝缘层，源线和数据线位于有源区及SiO<SUB>2</SUB>绝缘层的两边，写线、数据线和源线采用Au或Al金属膜。本发明具有微功耗，超高密度的特点，和纳米MOSFET结合，可实现10<SUP>12</SUP>bit的超高密度集成纳米存贮器，可以在室温下工作，工作稳定性好，能和CMOS超大规模集成电路兼容。 | ||
| 申请公布号 | CN1167133C | 申请公布日期 | 2004.09.15 |
| 申请号 | CN02112060.9 | 申请日期 | 2002.06.13 |
| 申请人 | 上海交通大学 | 发明人 | 蒋建飞;蔡琪玉;黄萍;沈波;程子川 |
| 分类号 | H01L27/04;B82B1/00 | 主分类号 | H01L27/04 |
| 代理机构 | 上海交达专利事务所 | 代理人 | 毛翠莹 |
| 主权项 | 1、一种纳米金属氧化线单电子存贮单元，其特征在于在硅衬底(2)上有第一层SiO2绝缘层(3)，第一层SiO2绝缘层(3)上纳米金属氧化线有源区(7)的厚度为3nm、宽度为1个电子局域长度ξ、长度为2～5个ξ，有源区(7)与上层写线(8)之间有第二层SiO2绝缘层(6)，源线(4)和数据线(5)位于有源区(7)及第二层SiO2绝缘层(6)的两边，源线(4)和数据线(5)之间的距离为有源区(7)的长度。 | ||
| 地址 | 200030上海市华山路1954号 | ||