耿氏二极管制造方法以及耿氏振荡器

摘要

在半导体基板上依次层叠有第1半导体层、活化层和第2半导体层的耿氏二极管，具有设于第2半导体层上的对活化层施加电压用的第1、第2电极、从该第1电极周围向着第2半导体层和活化层切入并将与第1电极连接的第2半导体层和活化层作为起耿氏二极管作用的区域划分出来的凹部。因为起耿氏二极管作用的区域划定是通过将形成于该区域上部的电极层作为掩模的自配合的干法刻蚀进行的，故能减少其特性差异。并公开了其制造方法和安装结构及NRD波导耿氏振荡器。

主权项

1.一种耿氏二极管制造方法，包括：在半导体基板之上依次层叠形成作为第1接触层的第1半导体层、活化层及作为第2接触层的第2半导体层的第1工序；在所述第2接触层上形成一定形状的第1和第2电极的第2工序；将所述第1和第2电极作为掩模进行干法刻蚀，来除去所述第2半导体层和活化层的第3工序。