| 发明名称 | 具有能量吸收结构的集成电路 | ||
| 摘要 | 一种集成电路，其构件体包括基片、电路元件、互连元件、钝化层和可延展材料的边缘段，其中该构件体的基面主要由该基片构成，该构件体的覆盖面主要由该钝化层和边缘段构成，该构件体的侧壁由该基片和边缘段构成。 | ||
| 申请公布号 | CN1529909A | 申请公布日期 | 2004.09.15 |
| 申请号 | CN02801998.9 | 申请日期 | 2002.06.03 |
| 申请人 | 皇家菲利浦电子有限公司 | 发明人 | W·施尼特;J·－H·福克 |
| 分类号 | H01L23/58 | 主分类号 | H01L23/58 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 蔡民军;章社杲 |
| 主权项 | 1.一种集成电路，其构件体包括基片、电路元件、互连元件、钝化层和可延展材料的边缘段，其中该构件体的基面主要由该基片构成，该构件体的覆盖面主要由该钝化层和边缘段构成，该构件体的侧壁由该基片和边缘段构成。 | ||
| 地址 | 荷兰艾恩德霍芬 | ||