发明名称 热伏电源式固态开关
摘要 一种热伏电源式固态开关,包括:一单晶硅基片,一MOS场效应晶体管,其栅极接受信号而控制输出端的负载;一热垫,以微加工技术制作于硅基片的局部区域;一薄膜加热电阻,制作于该热垫片上,作为开关的输入端;一热电堆,利用p-n接合结的半导体薄膜热电偶串联所形成,热电堆的输出端作为MOS晶体管开关元件的输入端;由输入端施以偏压,MOS场效应晶体管为导通状态;输入端不再施以偏压时,MOS场效应晶体管开关回复断路状态。
申请公布号 CN1167097C 申请公布日期 2004.09.15
申请号 CN97121881.1 申请日期 1997.12.16
申请人 桦晶科技股份有限公司 发明人 谢正雄
分类号 H01H37/72 主分类号 H01H37/72
代理机构 永新专利商标代理有限公司 代理人 徐娴
主权项 1、一种热伏电源式固态开关,包括:一单晶硅基片;其特征在于:还包括:一MOS场效应晶体管,其栅极接受信号而控制输出端的负载;一热垫,以微切削加工技术制作于硅基片的局部区域;一薄膜加热电阻,制作于该热垫片上,作为开关的输入端;一热电堆,利用p-n接合结的半导体薄膜热电偶串联所形成,该等热电偶的热接点位于热垫上,且邻近于薄膜加热电阻处,并具有足够的电绝缘强度的间距,其冷接点则远离热垫的基片区,而恒温于基片,该热电堆的输出端作为MOS晶体管开关元件的输入端;由输入端施以偏压,使加热电阻产生焦耳热时,热电堆的冷热接点间由不均匀的热分布产生适当温差,并在热电堆的两端感应一热电动势,此电动势足以使其衔接的MOS场效应晶体管触发而成导通状态;输入端不再施以偏压时,热电堆的冷热接点回复相同温度,使热电堆的感应电动势消失,MOS场效应晶体管开关回复断路状态。
地址 中国台湾