| 主权项 |
1.一种防止蚀除晶穴侧壁上金属层之封装基板制造方法,其包含:提供一基板,该基板系具有一上表面、一下表面及一已定义之晶穴区域;形成至少一贯通槽孔于该晶穴区域,该贯通槽孔系贯穿该基板之该上表面与该下表面,使得在该晶穴区域内具有一一体成形于该基板之支撑体;形成一金属层于该基板之表面与该贯通槽孔之侧壁;形成一防蚀层于该金属层上,且该防蚀层系由该支撑体支撑并遮蔽该贯通槽孔;图案化该防蚀层;藉由该防蚀层蚀刻该基板表面之金属层,以形成一电路图案层,其中在蚀刻时该防蚀层系遮蔽该贯通槽孔,以保护在该贯通槽孔侧壁之该金属层;移除该防蚀层;及移除该支撑体,使得该基板形成有一用以容置晶片之晶穴[die cavity],且该晶穴之侧壁系形成有该金属层。2.如申请专利范围第1项所述之防止蚀除晶穴侧壁上金属层之封装基板制造方法,其中该防蚀层系一感光型乾膜。3.如申请专利范围第1项所述之防止蚀除晶穴侧壁上金属层之封装基板制造方法,其中该贯通槽孔之宽度系介于0.1~4.0mm之间。4.如申请专利范围第1项所述之防止蚀除晶穴侧壁上金属层之封装基板制造方法,其中在移除该支撑体之步骤之后,在该晶穴侧壁之金属层系非连续状。5.如申请专利范围第1项所述之防止蚀除晶穴侧壁上金属层之封装基板制造方法,其中该贯通槽孔系为直线槽。6.如申请专利范围第1项所述之防止蚀除晶穴侧壁上金属层之封装基板制造方法,其中该贯通槽孔系为L形槽。7.如申请专利范围第1项所述之防止蚀除晶穴侧壁上金属层之封装基板制造方法,其另包含之步骤有:形成一绝缘保护层于该电路图案层上。8.如申请专利范围第1项所述之防止蚀除晶穴侧壁上金属层之封装基板制造方法,其另包含之步骤有:形成一表面处理层于该金属层上。9.一种适用于半导体封装之电路基板,其包含:一基板,具有一上表面、一下表面及至少一贯通上下表面之晶穴,用以放置一晶片,其中该晶穴系具有介于该上表面与该下表面间之侧壁;一电路图案层,形成于该基板之表面;及一金属层,非连续地形成于该晶穴之侧壁。10.如申请专利范围第9项所述之适用于半导体封装之电路基板,其另包含有一表面处理层,形成于该金属层上。11.如申请专利范围第9项所述之适用于半导体封装之电路基板,其另包含有一绝缘保护层,形成于该电路图案层上。12.如申请专利范围第11项所述之适用于半导体封装之电路基板,其中该绝缘保护层系为一防焊漆[solder resist]。图式简单说明:第1图:习知晶穴朝下之BGA封装结构之截面示意图;第2图:依照本发明,所提供之晶穴朝下之BGA封装结构之截面示意图;第3A至3H图:依照本发明之防止蚀除晶穴侧壁上金属层之封装基板制造方法,在制造过程中该基板之截面示意图;第4图:依照本发明之防止蚀除晶穴侧壁上金属层之封装基板制造方法,形成有狭长贯通槽孔之基板立体示意图;第5图:依照本发明之防止蚀除晶穴侧壁上金属层之封装基板制造方法,在第二具体实施例中形成有狭长贯通槽孔之基板顶面示意图;及第6图:依照本发明之防止蚀除晶穴侧壁上金属层之封装基板制造方法,在第三具体实施例中形成有狭长贯通槽孔之基板顶面示意图。 |
