| 主权项 |
1.一种晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其包含之步骤有:提供一晶圆,该晶圆系具有复数个记忆体晶片;切割该晶圆,以形成复数个个别之记忆体晶片;贴附一预定数量之该些记忆体晶片至一记忆体模组基板;第一次模组测试在该记忆体模组基板上之该些记忆体晶片;及封装在该记忆体模组基板上之该些记忆体晶片。2.如申请专利范围第1项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其另包含之步骤有:依据第一次模组测试结果,整修该些在该记忆体模组基板上之记忆体晶片,于第一次模组测试步骤之后。3.如申请专利范围第2项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其另包含之步骤有:第二次模组测试在该记忆体模组基板上之该些记忆体晶片,于整修步骤之后。4.如申请专利范围第2或3项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其中在该整修步骤中系包含有:以另一积体电路晶片取代在该记忆体模组基板上之不良记忆体晶片。5.如申请专利范围第4项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其中该用以取代之积体电路晶片系为已知良好晶片[Known Good Die, KGD]。6.如申请专利范围第2或3项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其中在该整修步骤中系包含有:雷射修补在该记忆体模组基板上不良仍可被修补之记忆体晶片。7.如申请专利范围第6项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其中除了雷射修补之外,在该整修步骤中系包含有:以另一积体电路晶片取代在该记忆体模组基板上不良且不可被修补之记忆体晶片。8.如申请专利范围第7项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其中该用以取代之积体电路晶片系为已知良好晶片[Known Good Die, KGD]。9.一种晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其包含之步骤有:提供一晶圆,该晶圆系具有复数个记忆体晶片;执行一晶圆级老化测试[wafer level burn-in test],以损坏该晶圆上早期不良之记忆体晶片;切割该晶圆,以形成复数个个别记忆体晶片;贴附一预定数量之该些记忆体晶片至一记忆体模组基板;第一次模组测试在该记忆体模组基板上之该些记忆体晶片;及封装在该记忆体模组基板上之该些记忆体晶片。10.如申请专利范围第9项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其另包含之步骤有:依据第一次模组测试结果,整修该些在该记忆体模组基板上之记忆体晶片,于第一次模组测试步骤之后。11.如申请专利范围第10项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其另包含之步骤有:第二次模组测试在该记忆体模组基板上之该些记忆体晶片,于整修步骤之后。12.如申请专利范围第10或11项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其中在该整修步骤中系包含有:以另一积体电路晶片取代在该记忆体模组基板上之不良记忆体晶片。13.如申请专利范围第12项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其中该用以取代之积体电路晶片系为已知良好晶片[Known Good Die, KGD]。14.如申请专利范围第10或11项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其中在该整修步骤中系包含有:雷射修补在该记忆体模组基板上不良仍可被修补之记忆体晶片。15.如申请专利范围第14项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其中除了雷射修补之外,在该整修步骤中系包含有:以另一积体电路晶片取代在该记忆体模组基板上不良且不可被修补之记忆体晶片。16.如申请专利范围第15项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其中该用以取代之积体电路晶片系为已知良好晶片[Known Good Die, KGD]。17.一种晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其包含之步骤有:提供一晶圆,该晶圆系具有复数个记忆体晶片;切割该晶圆,以形成复数个个别记忆体晶片;贴附一预定数量之该些记忆体晶片至一记忆体模组基板;执行一模组级老化测试[module level burn-in test],以损坏该记忆体模组基板上早期不良之记忆体晶片;第一次模组测试在该记忆体模组基板上之该些记忆体晶片;及封装在该记忆体模组基板上之该些记忆体晶片。18.如申请专利范围第17项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其另包含之步骤有:依据第一次模组测试结果,整修该些在该记忆体模组基板上之记忆体晶片,于第一次模组测试步骤之后。19.如申请专利范围第18项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其另包含之步骤有:第二次模组测试在该记忆体模组基板上之该些记忆体晶片,于整修步骤之后。20.如申请专利范围第18或19项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其中在该整修步骤中系包含有:以另一积体电路晶片取代在该记忆体模组基板上之不良记忆体晶片。21.如申请专利范围第20项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其中该用以取代之积体电路晶片系为已知良好晶片[Known Good Die, KGD]。22.如申请专利范围第18或19项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其中在该整修步骤中系包含有:雷射修补在该记忆体模组基板上不良仍可被修补之记忆体晶片。23.如申请专利范围第22项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其中除了雷射修补之外,在该整修步骤中系包含有:以另一积体电路晶片取代在该记忆体模组基板上不良且不可被修补之记忆体晶片。24.如申请专利范围第23项所述之晶片直接贴附记忆体模组之制造过程,其中该用以取代之积体电路晶片系为已知良好晶片[Known Good Die, KGD]。25.一种晶片直接贴附记忆体模组,其包含:一记忆体模组基板,系具有两侧扣槽以及在一侧边之复数个金手指,该记忆体模组基板之一表面系形成有复数个凹槽;复数个记忆体晶片,个别地固设于该记忆体模组基板之凹槽并电性连接至该记忆体模组基板;及至少一封装材料,形成于该些凹槽。26.如申请专利范围第25项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该些晶片系连接有导线,电性接合至该记忆体模组基板。27.如申请专利范围第25项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该封装材料系密封该些晶片。28.如申请专利范围第25项所述之晶片直接贴附记忆体模组,其中该封装材料系为点涂形成之热固性树脂。图式简单说明:第1图:一种习知晶片直接贴附记忆体模组之制造过程图;第2图:习知晶片直接贴附记忆体模组之截面示意图;第3图:依据本发明之第一具体实施例,一晶片直接贴附记忆体模组之示意图;第4图:依据本发明之第一具体实施例,一晶片直接贴附记忆体模组之制造过程图;第5A图:依据本发明之第一具体实施例,一晶片直接贴附记忆体模组在晶片贴附制造步骤之截面图;第5B图:依据本发明之第一具体实施例,一晶片直接贴附记忆体模组在第一次模组测试制造步骤之截面图;第5C图:依据本发明之第一具体实施例,一晶片直接贴附记忆体模组在整修制造步骤一之截面图;第5D图:依据本发明之第一具体实施例,一晶片直接贴附记忆体模组在整修制造步骤二之截面图;第5E图:依据本发明之第一具体实施例,一晶片直接贴附记忆体模组在第二次模组测试制造步骤之截面图;第5F图:依据本发明之第一具体实施例,一晶片直接贴附记忆体模组在封装制造步骤之截面图;第6图:依据本发明之第二具体实施例,一晶片直接贴附记忆体模组之制造过程图;及第7图:依据本发明之第二具体实施例,一晶片直接贴附记忆体模组之示意图。 |
