发明名称 曝光方法、曝光装置、元件制造方法及记录媒体
摘要 电脑系统,具备输入光学装置待达成之目标资讯的第1电脑,与根据接收(透过通信线路)自第1电脑之目标资讯、以投影光学系统欲满足之波面像差为规格值来决定投影光学系统之规格的第2电脑。因此,制造投影光学系统时,根据波面像差之测量结果调整投影光学系统,以满足决定的规格,据此,不仅是低次像差亦能同时修正高次像差,而简化制造步骤。再者,能确实达成以所制造之投影光学系统达成曝光装置所应达成之目标。
申请公布号 TWI220998 申请公布日期 2004.09.11
申请号 TW092116918 申请日期 2002.02.08
申请人 尼康股份有限公司 发明人 滨谷正人;塚越敏雄
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 林镒珠 台北市中山区长安东路二段一一二号九楼
主权项 1.一种曝光方法,系透过投影光学系统将图案转印至物体上,其特征在于:系根据关于该投影光学系统成像特性的资讯、对应关于该投影光学系统成像特性之评价项目及该物体之曝光条件的查涅克感度表、以及关于调整该图案在该物体上之成像状态之装置调整量与查涅克多项式之既定项系数之关系的资料,来决定使该投影光学系统成像特性实质上最佳化之该调整装置之调整量;为调整该图案之成像状态,根据该所决定之调整量控制该调整装置。2.如申请专利范围第1项之曝光方法,其中,为决定该调整量而使用最小自乘法。3.一种曝光方法,系透过投影光学系统将图案转印至物体上,其特征在于:系根据关于该投影光学系统成像特性的资讯、与对应关于该投影光学系统成像特性之评价项目及该物体之曝光条件的查涅克感度表,使用最小自乘法来算出作为该评价项目之成像特性;根据该算出后之成像特性来调整该投影光学系统。4.如申请专利范围第1至3项中任一项之曝光方法,其中,该曝光条件包含关于该投影光学系统之投影对象图案的第1资讯,与关于包含该投影光学系统之曝光装置之光学条件的第2资讯。5.如申请专利范围第4项之曝光方法,其中,该光学条件包含该图案之照明条件。6.如申请专利范围第1至3项中任一项之曝光方法,其中,当该评价项目与该曝光条件之至少一方为复数时,系使用对应该评价项目与该曝光条件之组合的复数个查涅克感度表。7.如申请专利范围第6项之曝光方法,其中,关于该成像特性之资讯,系该投影光学系统之波面像差。8.如申请专利范围第1至3项中任一项之曝光方法,其中,系藉由该调整装置来分别驱动该投影光学系统之复数个光学元件,以调整该图案之成像状态。9.如申请专利范围第8项之曝光方法,其中,系藉由该调整装置来使照射于该图案之照明用光之波长变化,以调整该图案之成像状态。10.一种元件制造方法,其特征在于:包含使用申请专利范围第1至3项中任一项之曝光方法,将元件图案形成在感应物体上之制程。11.一种曝光装置,系透过投影光学系统将图案转印至物体上,其特征在于,具备:调整装置,系用以调整该图案在该物体上之成像状态;运算装置,系根据关于该投影光学系统成像特性的资讯、对应关于该投影光学系统成像特性之评价项目及该物体之曝光条件的查涅克感度表、以及关于调整该图案在该物体上之成像状态之装置调整量与查涅克多项式之既定项系数之关系的资料,来决定使该投影光学系统成像特性实质上最佳化之该调整装置之调整量;以及控制装置,系根据该所决定之调整量来控制该调整装置。12.如申请专利范围第11项之曝光装置,其中,该运算装置为决定该调整量而使用最小自乘法。13.一种曝光装置,系透过投影光学系统将图案转印至物体上,其特征在于,具备:运算装置,系根据关于该投影光学系统成像特性的资讯、与对应关于该投影光学系统成像特性之评价项目及该物体之曝光条件的查涅克感度表,使用最小自乘法来算出作为该评价项目的成像特性;以及调整装置,系根据该算出后成像特性来调整该投影光学系统。14.如申请专利范围第11至13项中任一项之曝光装置,其中,该曝光条件包含关于该投影光学系统之投影对象图案的第1资讯,与关于包含该投影光学系统之曝光装置之光学条件的第2资讯。15.如申请专利范围第14项之曝光装置,其中,该光学条件包含该图案之照明条件。16.如申请专利范围第11至13项中任一项之曝光装置,其中,当该评价项目与该曝光条件之至少一方为复数时,系使用对应该评价项目与该曝光条件之组合的复数个查涅克感度表。17.如申请专利范围第16项之曝光装置,其中,关于该成像特性之资讯,系该投影光学系统之波面像差。18.如申请专利范围第11至13项中任一项之曝光装置,其中,进一步具备测量装置,此测量装置之至少一部分能装载于包含该投影光学系统之曝光本体部;该运算装置,系使用该所测量之波面像差来作为关于该成像特性之资讯。19.如申请专利范围第11至13项中任一项之曝光装置,其系用于制造元件之微影制程。20.一种曝光方法,系透过投影光学系统将图案转印至物体上,其特征在于:测量关于该投影光学系统成像特性之资讯;根据对应关于该投影光学系统成像特性之评价项目与复数个照明条件之组合的查涅克感度表、以及该所测量之资讯,来决定欲转印至该物体上之图案的最佳照明条件;以该所决定之照明条件照明该图案,来将该图案转印至该物体上。21.如申请专利范围第20项之曝光方法,其中,为决定该最佳照明条件而使用最小自乘法。22.如申请专利范围第1或2项之曝光方法,其中,该调整量之决定,系在该投影光学系统之视野内,于投影该图案之既定区域内之复数点,使该投影光学系统之像差实质上最佳化。23.如申请专利范围第22项之曝光方法,其中,该调整量之决定,系使该投影光学系统之像差的低次成分与高次成分之双方皆实质上最佳化。24.如申请专利范围第23项之曝光方法,其中,该曝光条件包含关于该投影光学系统之投影对象图案的第1资讯,与关于包含该投影光学系统之曝光装置之光学条件的第2资讯。25.如申请专利范围第24项之曝光方法,其中,系于该既定区域内之相异点分别测量关于该投影光学系统之波面的资讯,使用该测量资讯来作为关于该成像特性之资料。26.如申请专利范围第22项之曝光方法,其中,该调整量之决定,系使该投影光学系统之不同像差、及各像差之不同次数成分实质上最佳化。27.如申请专利范围第26项之曝光方法,其中,该曝光条件包含关于该投影光学系统之投影对象图案的第1资讯,与关于包含该投影光学系统之曝光装置之光学条件的第2资讯。28.如申请专利范围第27项之曝光方法,其中,系于该既定区域内之相异点分别测量关于该投影光学系统之波面的资讯,使用该测量资讯来作为关于该成像特性之资料。29.如申请专利范围第11或12项之曝光装置,其中,该运算装置,系以在该投影光学系统之视野内,于投影该图案之既定区域内之复数点,使该投影光学系统之像差实质上最佳化之方式,决定该调整量。30.如申请专利范围第29项之曝光装置,其中,该运算装置,系以使该投影光学系统之像差的低次成分与高次成分之双方皆实质上最佳化之方式,决定该调整量。31.如申请专利范围第30项之曝光装置,其中,该曝光条件包含关于该投影光学系统之投影对象图案的第1资讯,与关于包含该投影光学系统之曝光装置之光学条件的第2资讯。32.如申请专利范围第31项之曝光装置,其进一步具备测量装置,以在该既定区域内之相异点分别测量关于该投影光学系统之波面的资讯,使用该测量资讯来作为关于该成像特性之资料。33.如申请专利范围第29项之曝光装置,其中,该运算装置,系以使该投影光学系统之不同像差、及各像差之不同次数成分实质上最佳化之方式,决定该调整量。34.如申请专利范围第33项之曝光装置,其中,该曝光条件包含关于该投影光学系统之投影对象图案的第1资讯,与关于包含该投影光学系统之曝光装置之光学条件的第2资讯。35.如申请专利范围第34项之曝光装置,其进一步具备测量装置,以在该既定区域内之相异点分别测量关于该投影光学系统之波面的资讯,使用该测量资讯来作为关于该成像特性之资料。36.一种曝光方法,系透过投影光学系统将图案转印至物体上,其特征在于:根据该投影光学系统成像特性之资讯、该图案及该转印中能设定之光学条件所对应的查涅克感度表、与关于调整该图案在该物体上之成像状态的装置之调整量与查涅克多项式之既定像系数间之关系的资料,来决定用以使该投影光学系统之成像特性实质上最佳化之该调整装置的调整量;使用该决定之调整量,来进行该调整装置之该图案成像状态的调整。37.如申请专利范围第36项之曝光方法,其中,为决定该调整量而使用最小自乘法。38.如申请专利范围第37项之曝光方法,其中,该调整量之决定,系在该投影光学系统之视野内,于投影该图案之既定区域内之复数点,使该投影光学系统之像差实质上最佳化。39.如申请专利范围第38项之曝光方法,其中,该调整量之决定,系使该投影光学系统之像差的低次成分与高次成分之双方皆实质上最佳化。40.如申请专利范围第38项之曝光方法,其中,该调整量之决定,系使该投影光学系统之不同像差、及各像差之不同次数成分实质上最佳化。41.如申请专利范围第39或40项之曝光方法,其中,系在该既定区域内之相异点分别测量关于该投影光学系统之波面的资讯,使用该测量资讯来作为关于该成像特性之资料。42.如申请专利范围第41项之曝光方法,其中,该光学条件至少包含该图案之照明条件。43.一种元件制造方法,其特征在于:系使用申请专利范围第36~40项中任一项之曝光方法,将元件图案形成在感应物体上。44.一种曝光装置,系透过投影光学系统将图案转印至物体上,其特征在于,具备:调整装置,系调整该图案在该物体上之成像状态;运算装置,系根据该投影光学系统成像特性之资讯、该图案及该转印中能设定之光学条件所对应的查涅克感度表、与关于该调整装置之调整量与查涅克多项式之既定像系数间之关系的资料,来决定用以使该投影光学系统之成像特性实质上最佳化之该调整装置的调整量。45.如申请专利范围第44项之曝光装置,其中,该运算装置为决定该调整量而使用最小自乘法。46.如申请专利范围第45项之曝光装置,其中,该运算装置,系以在该投影光学系统之视野内,于投影该图案之既定区域内之复数点,使该投影光学系统之像差实质上最佳化之方式,决定该调整量。47.如申请专利范围第46项之曝光装置,其中,该运算装置,系以使该投影光学系统之像差的低次成分与高次成分之双方皆实质上最佳化之方式,决定该调整量。48.如申请专利范围第46项之曝光装置,其中,该运算装置,系以使该投影光学系统之不同像差、及各像差之不同次数成分实质上最佳化之方式,决定该调整量。49.如申请专利范围第47或48项之曝光装置,其进一步具备测量装置,以在该既定区域内之相异点分别测量关于该投影光学系统之波面的资讯,使用该测量资讯来作为关于该成像特性之资料。50.如申请专利范围第49项之曝光装置,其中,该光学条件至少包含该图案之照明条件。51.一种记录媒体,其记录有在透过投影光学系统将图案转印至物体上的曝光装置中,使电脑执行该图案成像状态之调整所需既定处理的程式,其特征在于:该程式,系使该电脑执行以下步骤,亦即,根据该投影光学系统成像特性之资讯、该图案及该转印中能设定之光学条件所对应的查涅克感度表、与关于该调整装置之调整量与查涅克多项式之既定像系数间之关系的资料,来决定用以使该投影光学系统之成像特性实质上最佳化之该调整装置的调整量。52.如申请专利范围第51项之记录媒体,其中,该调整量之决定系使用最小自乘法。53.如申请专利范围第52项之记录媒体,其中,该调整量,系以在该投影光学系统之视野内,于投影该图案之既定区域内之复数点,使该投影光学系统之像差实质上最佳化之方式加以决定。54.如申请专利范围第53项之记录媒体,其中,该调整量,系以使该投影光学系统之像差的低次成分与高次成分之双方皆实质上最佳化之方式加以决定。55.如申请专利范围第53项之记录媒体,其中,该调整量,系以使该投影光学系统之不同像差、及各像差之不同次数成分实质上最佳化之方式加以决定。56.如申请专利范围第54或55项之记录媒体,其中,关于该成像特性之资讯,系在该既定区域内之相异点分别测量之关于该投影光学系统之波面的资讯。57.如申请专利范围第56项之记录媒体,其中,该光学条件至少包含该图案之照明条件。图式简单说明:图1,系显示本发明之一实施形态之电脑系统之构成的图。图2,系概略显示本发明图1之曝光装置1221之构成的图。图3,系显示波面像差测量器之例的截面图。图4A,系显示光学系统中不存在像差时,自微透镜阵列射出之光束的图。图4B,系显示光学系统中存在像差时,自微透镜阵列射出之光束的图。图5,系显示设定曝光装置之最佳曝光条件时,以第2通信伺服器内之CPU所实行之处理计算的流程图。图6,系显示测量用标线片之概略立体图。图7,系将装填于标线片载台上之状态下测量用标线片之光轴AX附近之XZ截面之概略图,与投影光学系统之示意图同时加以显示的图。图8,系将装填于标线片载台上之状态下测量用标线片之-Y侧端部附近之XZ截面之概略图,与投影光学系统之示意图同时加以显示的图。图9A,系显示本实施形态之测量用标线片上形成之测量用图案的图。图9B,系显示本实施形态之测量用标线片上形成之基准图案的图。图10A,系显示在晶圆上之光阻层以既定间隔形成之测量用图案之缩小像(潜像)的图。图10B,系显示图10A之测量用图案之潜像与基准图案之潜像之位置关系的图。图11,系概略的显示投影光学系统之制程的流程图。图12,系显示电脑系统之变形例构成的图。
地址 日本