| 主权项 |
1.一种薄膜电晶体结构,其包含有:一基底;一半导体层设于该基底上,该半导体层包含有一通道区,二轻掺杂汲极,以及二源极/汲极;以及一闸极设于该基底上,该闸极与该等轻掺杂汲极相对称,且该闸极之二侧壁与其相邻之各该轻掺杂汲极系相堆叠,该等轻掺杂汲极与该等源极/汲极间之接面(junction)系未与该闸极相堆叠,该等源极/汲极亦未与该闸极相堆叠。2.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体结构,其中该闸极系设于该半导体层上方。3.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体结构,其中该闸极系设于该半导体层下方。4.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体结构,其另包含一绝缘层设于该闸极与该半导体层之间。5.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体结构,其中该基底系为一玻璃基板。6.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体结构,其中该闸极包含有一长度A;该通道区包含有一长度B,该等轻掺杂汲极包含有一长度C,且其中该等长度之关系式为B+0.2C≦0.5A≦B+0.8C。7.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体结构,其中该等轻掺杂汲极具有相同的长度。8.如申请专利范围第1项之薄膜电晶体结构,其中该等轻掺杂汲极之长度约介于0.3至3.5微米(mm)之间。9.一种薄膜电晶体结构,其包含有:一基底;一半导体层设于该基底表面,该半导体层包含有一通道区,二轻掺杂汲极,一源极以及一汲极;一绝缘层设于该半导体层表面;以及一闸极设于该绝缘层表面,该闸极之一侧壁与邻近该汲极之该轻掺杂汲极相堆叠,且该轻掺杂汲极与该汲极间之接面系未与该闸极相堆叠,该汲极亦未与该闸极相堆叠。10.如申请专利范围第9项之薄膜电晶体结构,其中该闸极之另一侧壁系与邻近该源极之该轻掺杂汲极相堆叠且该轻掺杂汲极与该源极间之接面系未与该闸极相堆叠,该源极亦未与该闸极相堆叠。11.如申请专利范围第9项之薄膜电晶体结构,其中该基底系为一玻璃基板。12.如申请专利范围第9项之薄膜电晶体结构,其中该闸极包含有一长度A,该通道区包含有一长度B,邻近该汲极之该轻掺杂汲极包含有一长度C,且其中该等长度之关系式为B+0.2C≦0.5A≦B+0.8C。13.如申请专利范围第9项之薄膜电晶体结构,其中该等轻掺杂汲极具有相同的长度。14.如申请专利范围第9项之薄膜电晶体结构,其中该等轻掺杂汲极之长度约介于0.3至3.5微米之间。15.如申请专利范围第9项之薄膜电晶体结构,其中该等轻掺杂汲极系对称于该闸极。图式简单说明:图一为习知一薄膜电晶体之结构剖面图及其能带示意图。图二至图四为本发明制作一薄膜电晶体之方法示意图。图五为一薄膜电晶体之闸极宽度与其漏电流之关系曲线图。 |
