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<P>Un capteur de pression à semiconducteur comprend un substrat semiconducteur (10) ayant une membrane (30) destinée à recevoir une pression, et un circuit de pont pour détecter une déformation correspondante de la membrane (30). Le circuit de pont comprend une paire de premières résistances de jauge (41, 44) au centre de la membrane (30) et une paire de secondes résistances de jauge (42a, 43a) à la périphérie de la membrane. Chaque première résistance de jauge (41, 44) a une première valeur de résistance qui est supérieure à une seconde valeur de résistance de chaque seconde résistance de jauge (42a, 43a). La propriété du capteur concernant le décalage non linéaire en fonction de la température est améliorée, ce qui fait que le capteur a une exactitude de détection élevée.</P> |
