Selektives Silizidierungsverfahren für Speichervorrichtungen und zugehörige Halbleitervorrichtung

摘要

Die vorliegende Erfindung betrifft ein selektives Silizidierungsverfahren für Speichervorrichtungen und eine zugehörige Halbleitervorrichtung, wobei ein Silizid-Material (134) selektiv an der Oberfläche von aktiven Bereichen (106) einer Speichervorrichtung ausgebildet wird. Silizid-Material (136) kann darüber hinaus auch an der oberen Oberfläche von zu den aktiven Bereichen (106) benachbarten Wortleitungen (112) während des selektiven Silizidierungsverfahrens ausgebildet werden. Es wird lediglich eine einzige Nitrid-Isolierschicht (118) verwendet, wobei Abschnitte des Werkstücks (101) während der Ausbildung des Silizid-Materials (134, 136) durch einen Fotoresist (120) abgedeckt werden.