氧化锆烧结体及其制造方法

摘要

本发明是关于一种氧化锆烧结体及其制造方法。该氧化锆烧结体，包括正方晶氧化锆，其中从X线(X－ray)绕射线谱得到的在正方晶氧化锆的(111)面上的半峰全幅值为0.38至4度。此种氧化锆烧结体的制造方法，包括下列步骤：成型具有平均粒径为0.1至0.6微米、最大粒径为5微米以下、以及大致上为多面体形的氧化锆粉末，然后在1200℃～1400℃的温度下烧结经成型的生胚体。

主权项

1、一种氧化锆烧结体，其特征在于其包括正方晶氧化锆，其中从以下列条件测量出的X线(X-ray)绕射线谱得到的在正方晶氧化锆的(111)平面上的半峰全幅值为0.38至4度，条件：放射源：CuKα光束；电压·电流：40kV×30mA；单能器：石墨；发散狭缝：1.0度；散射狭缝：1.0度；检测狭缝：0.3度；步进尺寸：0.2度；时间/步骤：连续；背景校正：执行；扫瞄速度：0.4度/分钟。