二极管的制造方法与结构

摘要

本发明提供一种二极管的制造方法与结构。此二极管用于采用薄膜晶体管工艺的静电放电防护电路。其工艺包括下列步骤：形成半导体层于衬底上。于半导体层中形成具第一载流子浓度的第一区域。于半导体层中形成具第二载流子浓度的第二区域。形成绝缘层于半导体层上。蚀刻绝缘层以形成至少一接触窗。以及形成金属层于绝缘层上。其中，接触窗暴露出半导体层一部分的上表面，金属层填入接触窗以接触半导体层。

主权项

1.一种在一衬底上形成一二极管的方法，包括：形成一半导体层于该衬底上；于该半导体层中形成具一第一载流子浓度的一第一区域，该第一载流子浓度为一第一导电型；于该半导体层中形成具一第二载流子浓度的一第二区域，该第二载流子浓度为一第二导电型；形成一绝缘层于该半导体层上；蚀刻该绝缘层以形成至少一接触窗；以及形成一金属层于该绝缘层上；其中，该接触窗暴露出该半导体层的一部分的上表面，该金属层填入该接触窗以接触该半导体层。