| 发明名称 | 氮氧化合物浅沟槽隔离及其形成方法 | ||
| 摘要 | 本发明公开氮氧化合物浅沟槽隔离及其形成方法，其中所述氮氧化合物被用于在集成电路结构中形成浅沟槽隔离区域。该氮氧化合物可被用于沟槽衬垫(27)及沟槽填充材料(29)。该氮氧化合物衬垫(27)通过氮化初始形成的氧化物沟槽衬垫所形成。该氮氧化合物沟槽填充材料(29)通过直接沉积一高密度的SiH<SUB>4</SUB>和O<SUB>2</SUB>的等离子体(HDP)氧化物混合物并引入受控数量的NH<SUB>3</SUB>到该等离子体混合物中而形成。所得到的氮氧化合物结构可以更好地抵抗湿式蚀刻造成的沟槽填充侵蚀，例如，其还会使得作用到周围的硅的应力被最小化。为了进一步降低应力，氮浓度可通过改变该等离子体混合物中O<SUB>2</SUB>对NH<SUB>3</SUB>的比例来加以改变，所以氮浓度在该填充材料的顶部最大。 | ||
| 申请公布号 | CN1528015A | 申请公布日期 | 2004.09.08 |
| 申请号 | CN02810436.6 | 申请日期 | 2002.05.17 |
| 申请人 | 国际商业机器公司 | 发明人 | 克劳斯·D·拜尔;芬·F·杰明;帕特里克·R·瓦雷坎普 |
| 分类号 | H01L21/762 | 主分类号 | H01L21/762 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 陶凤波;侯宇 |
| 主权项 | 1.一种形成用于半导体装置的隔离结构的方法，包括以下步骤：在半导体衬底(3)中形成沟槽区域(11)；在所述沟槽区域(11)中形成氧化物衬垫；氮化所述氧化物衬垫以在所述沟槽区域(11)中形成氮氧化合物衬垫(27)；以及利用通过沉积包括氧和氮的填充材料形成的氮氧化合物材料(29)直接填充所述沟槽区域(11)。 | ||
| 地址 | 美国纽约州 | ||