| 发明名称 | 表面等离子体诱导光子共振隧穿型一维光子带隙结构的设置方法及装置 | ||
| 摘要 | 表面等离子体诱导的光子共振隧穿型一维光子带隙结构的设置方法及滤光分光器件，选用金属银和高低折射率介电材料层TiO<SUB>2</SUB>/SiO<SUB>2</SUB>、ZrO<SUB>2</SUB>/SiO<SUB>2</SUB>、ZrO<SUB>2</SUB>/Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>或ZnS/MgF<SUB>2</SUB>的组合，利用转移矩阵法设计非对称或对称型金属表面光子共振隧穿一维带隙结构滤光分光器件，选择不同银层厚度与不同的介电材料组合，利用高真空电子束蒸发和电阻热蒸发或溅射方法，在玻璃或透明材料衬底上生长制备应用于可见光频段具有不同频率，不同透射率，不同频带宽度的强耦合的光子共振隧穿型一维光子带隙结构滤光分光器件。具有很好的应用前景。 | ||
| 申请公布号 | CN1527099A | 申请公布日期 | 2004.09.08 |
| 申请号 | CN03158307.5 | 申请日期 | 2003.09.24 |
| 申请人 | 南京大学 | 发明人 | 袁长胜;汤亮;陈延峰;祝世宁;闵乃本 |
| 分类号 | G02F1/03 | 主分类号 | G02F1/03 |
| 代理机构 | 南京知识律师事务所 | 代理人 | 陈建和 |
| 主权项 | 1、表面等离子体诱导的光子共振隧穿型一维光子带隙结构的设置方法，其特征是选用金属银和高低折射率介电材料层TiO2/SiO2、ZrO2/SiO2、ZrO2/Al2O3或ZnS/MgF2的组合，利用转移矩阵法设计非对称或对称型金属表面光子共振隧穿一维带隙结构滤光分光器件，选择不同银层厚度与不同的介电材料组合，利用高真空电子束蒸发和电阻热蒸发或溅射方法，在玻璃或透明材料衬底上生长制备应用于可见光频段具有不同频率，不同透射率，不同频带宽度的强耦合的光子共振隧穿型一维光子带隙结构滤光分光器件。 | ||
| 地址 | 210093江苏省南京市汉口路22号 | ||