发明名称 |
掺铈铝酸钇晶体的生长方法 |
摘要 |
一种掺铈铝酸钇晶体的生长方法,包括下列步骤:按反应方程式Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>+(1-x-y)Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>+2xCeO<SUB>2</SUB>+ySc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>=2Y<SUB>1-x-y</SUB>Ce<SUB>x</SUB>Sc<SUB>y</SUB>AlO<SUB>3</SUB>+x/2O<SUB>2</SUB>其中0.2%≤x≤2.0%,x≤y≤3x。先选定x和y,再按相应的摩尔百分比称取原料Y<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>,Sc<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>,Al<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>,CeO<SUB>2</SUB>;将原料机械混合均匀后,用压料机在20kg/cm<SUP>2</SUP>的压力下压制成块,然后在1000℃下烧结10小时,装炉,抽真空,充高纯氮气,升温熔化,生长晶体。生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。晶体无色透明完整,晶体的位错密度为10<SUP>2</SUP>-10<SUP>4</SUP>/cm<SUP>2</SUP>,晶体的闪烁性能提高5-15%。 |
申请公布号 |
CN1526859A |
申请公布日期 |
2004.09.08 |
申请号 |
CN03151086.8 |
申请日期 |
2003.09.19 |
申请人 |
中国科学院上海光学精密机械研究所 |
发明人 |
徐军;曾雄辉;赵广军;何晓明;李红军;庞辉勇;介明印;李抒智;张连翰 |
分类号 |
C30B29/24;C30B15/00 |
主分类号 |
C30B29/24 |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 |
代理人 |
张泽纯 |
主权项 |
1、一种掺铈铝酸钇晶体的生长方法,其特征在于包括下列步骤:①在原料配方中,掺CeO2的同时,掺入一定量的Sc2O3;②按以下反应方程式,其中0.2%≤x≤2.0%,x≤y≤3x先选定x和y,再按相应的摩尔百分比称取原料Y2O3,Sc2O3,Al2O3,CeO2;③将原料机械混合均匀后,用压料机在20-40kg/cm2的压力下压制成饼,然后在1000-1600℃烧结10-20小时,形成烧结饼;④将烧结饼装入中频感应加热单晶炉,抽真空,充入高纯氮气,升温化料,准备生长;⑤生长晶体,生长条件为:提拉速度为1-3mm/h,旋转速度为10-20rpm;⑥生长晶体后,缓慢降至室温,取出晶体。 |
地址 |
201800上海市800-211邮政信箱 |