半导体器件及其制造方法

摘要

本发明的课题是，谋求提高被使用于栅绝缘膜等的热氧化膜的绝缘耐压，提高器件的工作可靠性。半导体器件包括在单晶硅衬底1上的规定的区域形成的氧化硅膜2和在与之邻接的区域对单晶硅衬底1的表面进行热氧化而形成的作为热氧化膜的栅绝缘膜3。在氧化硅膜2与栅绝缘膜3的边界上，形成其表面被氧化了的多晶硅5(或非晶硅)。

主权项

1.一种半导体器件，其特征在于，包括：在单晶衬底上的第1区域形成的第1绝缘膜和在与上述第1区域邻接的第2区域形成的第2绝缘膜；以及在上述第1绝缘膜与上述第2绝缘膜的边界上形成的、至少其表面部被氧化了的多晶或非晶的规定的膜。