发明名称 |
掺三价铈离子的铝酸盐闪烁晶体的制备方法 |
摘要 |
一种掺三价铈离子的铝酸盐闪烁晶体的制备方法,其特点是:在铝酸盐晶体生长的原料配方中掺入三价铈的化合物;在中性气氛下烧结原料;中性气氛下,在中频感应加热单晶炉内用提拉法生长晶体。本发明在很大程度上减少了Ce<SUP>4+</SUP>的引入,降低对Ce<SUP>3+</SUP>发光的猝灭作用,可提高铝酸盐晶体的闪烁性能5-15%。 |
申请公布号 |
CN1526858A |
申请公布日期 |
2004.09.08 |
申请号 |
CN03151082.5 |
申请日期 |
2003.09.19 |
申请人 |
中国科学院上海光学精密机械研究所 |
发明人 |
徐军;曾雄辉;赵广军;何晓明;李红军;庞辉勇;介明印;李抒智;张连翰 |
分类号 |
C30B29/24;C30B15/00 |
主分类号 |
C30B29/24 |
代理机构 |
上海新天专利代理有限公司 |
代理人 |
张泽纯 |
主权项 |
1、一种掺三价铈离子的铝酸盐闪烁晶体的制备方法,其特征在于:①在铝酸盐晶体生长的原料配方中掺入三价铈的化合物;②在中性气氛下烧结原料;③中性气氛下,在中频感应加热单晶炉用提拉法生长晶体。 |
地址 |
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