发明名称 | 电致发光显示装置 | ||
摘要 | 本发明提供一种电致发光显示装置,解决有机电场组件的微弱发光而成为亮度显示的问题。在形成于玻璃基板等透明绝缘性基板(100)上的多晶硅层所成主动层(101)上,形成栅极绝缘层(102),另形成在栅极绝缘层(102)上延伸的栅极(13g)于主动层(101)形成低浓度掺杂漏极构造(LDD)的源极·漏极。源极(13s)是由相互邻接而触接的P<SUP>-</SUP>层及P<SUP>+</SUP>层所构成该P<SUP>+</SUP>层是掺杂浓度1×10<SUP>20</SUP>/cc程度的高浓度层。P<SUP>-</SUP>层是由P<SUP>+</SUP>层向栅极(13g)方向延伸的掺杂浓度1×10<SUP>18</SUP>/cc程度的低浓度层,而且以相互邻接的P<SUP>-</SUP>层及P<SUP>+</SUP>层构成漏极(13d)。 | ||
申请公布号 | CN1527105A | 申请公布日期 | 2004.09.08 |
申请号 | CN200410006147.8 | 申请日期 | 2004.03.02 |
申请人 | 三洋电机株式会社 | 发明人 | 米田清 |
分类号 | G02F1/133 | 主分类号 | G02F1/133 |
代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 戈泊;鲍玲 |
主权项 | 1.一种电致发光显示装置,是具有多个像素,而各该像素是具备:对应于栅极信号选择各像素的像素选择用晶体管;电致发光组件,及对应于经由上述像素选择用晶体管供应的显示信号,而驱动上述电致发光组件的驱动用晶体管,而且,上述驱动用晶体管为P沟道型,其特征在于,同时以LDD构造形成。 | ||
地址 | 日本大阪府 |