| 发明名称 | 具有表面掩蔽层的半导体芯片 | ||
| 摘要 | 半导体芯片，该芯片具有在半导体衬底(1)的至少一个层内实现的，在至少一个组内安置的电路(T1、T2)以及具有在电路(T1、T2)上方的至少一个布线层面(3)内分布的电源线和信号线(V<SUB>ss</SUB>、V<SUB>dd</SUB>、SL1、SL2)，其中在至少一个电路组上方的至少一个布线层面(3)内，电源线和信号线(V<SUB>ss</SUB>、V<SUB>dd</SUB>、SL1、SL2)具有一最大宽度，使得每两个导线之间的距离最小。 | ||
| 申请公布号 | CN1165992C | 申请公布日期 | 2004.09.08 |
| 申请号 | CN99117959.5 | 申请日期 | 1999.08.19 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | R·阿林格;W·波克兰德特 |
| 分类号 | H01L23/58;G11C7/00 | 主分类号 | H01L23/58 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 马铁良;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种半导体芯片，该种芯片具有在半导体衬底(1)的一个层内实现的、在一个组内设置的电路(T1、T2)并且具有在所述电路(T1、T2)上方的一个布线层面(3)内分布的接地线(VSS)、电源线(Vdd)和信号线(SL1、SL2)，其特征在于，在所述电路组上方的布线层面(3)内，所述接地线(VSS)、电源线(Vdd)和信号线(SL1、SL2)所具有的宽度使得在每两个所述导线之间的最大距离等于最小可实现距离的两倍。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||