发明名称 |
METHOD OF PRODUCING SILICON SINGLE CRYSTAL AND SINGLE CRYSTAL SILICON WAFER |
摘要 |
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申请公布号 |
EP0990718(B1) |
申请公布日期 |
2004.09.08 |
申请号 |
EP19990901219 |
申请日期 |
1999.02.02 |
申请人 |
SUMITOMO MITSUBISHI SILICON CORPORATION |
发明人 |
NISHIKAWA, HIDESHI |
分类号 |
C30B15/00;(IPC1-7):C30B15/20;C30B29/06 |
主分类号 |
C30B15/00 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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