| 发明名称 | 一种场效应晶体管 | ||
| 摘要 | 本发明公开了一种场效应晶体管，目的是提供一种短沟道特性得到改善的场效应晶体管。本发明的技术方案为：一种场效应晶体管，包括具有栅、源端、漏端、沟道及衬底在内的场效应晶体管本体，所述场效应晶体管的源端与漏端为SiC材料。本发明的场效应晶体管可以很好地抑制器件的DIBL效应，大大降低器件的阈值电压漂移和关态泄漏电流，提高器件的电流开关比，表现出了优于常规结构场效应晶体管的特性，改善了器件的短沟道性能，具有巨大的应用潜力。 | ||
| 申请公布号 | CN1527399A | 申请公布日期 | 2004.09.08 |
| 申请号 | CN03105084.0 | 申请日期 | 2003.03.06 |
| 申请人 | 北京大学 | 发明人 | 黄如;王文平;张兴;王阳元 |
| 分类号 | H01L29/78 | 主分类号 | H01L29/78 |
| 代理机构 | 北京纪凯知识产权代理有限公司 | 代理人 | 关畅 |
| 主权项 | 1、一种场效应晶体管，包括具有栅、源端、漏端、轻掺杂漏(LDD)、沟道及衬底在内的场效应晶体管本体，其特征在于：所述场效应晶体管的源端与漏端为SiC材料。 | ||
| 地址 | 100871北京市海淀区颐和园路5号北京大学 | ||