用于半导体处理的气体分配设备

摘要

一种半导体处理用的气体分配系统，包括一仿形表面以实现在簇射头背面所需的气体分布。该系统可包括一或多个朝向在挡板和温控支持部件之间的气源开口。挡板可以有非均匀厚度和几何控制的开口以实现所需的气体分布。在一个安排中挡板是锥形的，具有均匀直径的孔，它们以不同距离延伸穿越挡板，以实现通过挡板平坦底表面中的出口的均匀气体压力。在另一安排中，孔在远离位于中心的气源出口方向时有逐渐增大的直径。挡板的形状及/或孔的配置可以设计来实现所需的气压分布。

主权项

1.一种可用于处理半导体基片的气体分配系统，包括：一支持体；一气体分配室；一供气口，加压的处理气体通过它流入气体分配室；一由该支持体支持的簇射头，它使气体分配室中的加压处理气体向簇射头的背面施加压力并且通过在簇射头的背面和其对面之间伸展的开口，所述簇射头为一簇射头电极；以及一在气体分配室中的仿形表面，这个仿形表面对在簇射头电极的背面提供所需的气体压力分布是有效的。