| 发明名称 | 静态随机存取存储器 | ||
| 摘要 | 一种静态随机存取存储器，包括：一个衬底；一对在衬底上形成的交叉连接的驱动晶体管；一对数据选取晶体管；一对位线，经所述数据选取晶体管分别电连接到所述交叉连接的驱动晶体管；以及一位线，电连接到所述一对数据选取存取晶体管，其中，至少各个交叉连接的驱动晶体管包括在衬底上的绝缘表面上形成的结晶半导体膜，所述结晶半导体膜具有其中形成有沟道形成区的单畴区。 | ||
| 申请公布号 | CN1527388A | 申请公布日期 | 2004.09.08 |
| 申请号 | CN02143810.2 | 申请日期 | 1997.02.23 |
| 申请人 | 株式会社半导体能源研究所 | 发明人 | 山崎舜平;小山润;宫永昭治;福永健司 |
| 分类号 | H01L27/11 | 主分类号 | H01L27/11 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 张志醒 |
| 主权项 | 1.一种静态随机存取存储器，包括：一个衬底；一对在衬底上形成的交叉连接的驱动晶体管；一对数据选取晶体管；一对位线，经所述数据选取晶体管分别电连接到所述交叉连接的驱动晶体管；以及一位线，电连接到所述一对数据选取存取晶体管，其中，至少各个交叉连接的驱动晶体管包括在衬底上的绝缘表面上形成的结晶半导体膜，所述结晶半导体膜具有其中形成有沟道形成区的单畴区。 | ||
| 地址 | 日本神奈川县 | ||