发明名称 Memory device with quantum dot and method for manufacturing the same
摘要
申请公布号 EP1335433(A3) 申请公布日期 2004.09.08
申请号 EP20020255824 申请日期 2002.08.21
申请人 SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. 发明人 CHOI, WON-BONG;CHAE, SOO-DOO
分类号 H01L29/06;H01L21/28;H01L21/8247;H01L27/10;H01L27/115;H01L29/423;H01L29/66;H01L29/78;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788;H01L21/336 主分类号 H01L29/06
代理机构 代理人
主权项
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