发明名称 | 波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法 | ||
摘要 | 一种波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法,包括以下步骤:在n型磷化铟衬底1上外延多量子阱层结构;在多量子阱层上生长氮化硅介质膜;在多量子阱层上生长二氧化硅介质膜;快速退火;掩膜光刻;用选择腐蚀方法,去掉铟镓砷层,磷化铟层和铟镓砷磷层;在磷化铟层上掩膜光刻,开出光栅窗口,保留有源区上的磷化铟层,腐蚀掉光栅窗口中的磷化铟层,然后大面积做均匀光栅;选择腐蚀磷化铟层,然后外延光栅盖层和电极接触层;光刻出单脊形条,掩膜光刻电隔离沟,淀积二氧化硅层,在隔离沟处采用离子注入,形成高隔离电阻区;溅射P面电极和N面电极。 | ||
申请公布号 | CN1527447A | 申请公布日期 | 2004.09.08 |
申请号 | CN03106828.6 | 申请日期 | 2003.03.03 |
申请人 | 中国科学院半导体研究所 | 发明人 | 陆羽;张靖;朱洪亮;王圩 |
分类号 | H01S5/00 | 主分类号 | H01S5/00 |
代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汤保平 |
主权项 | 1、一种波长可调谐分布布拉格反射半导体激光器的制作方法,其特征在于,包括以下步骤:1)在n型磷化铟衬底1上外延多量子阱层结构;2)在多量子阱层上生长氮化硅介质膜,用干法刻蚀氮化硅,用来抑制量子阱混合的作用;3)在多量子阱层上生长二氧化硅介质膜,用湿法刻蚀,用来增强量子阱混合的作用;4)快速退火;5)掩膜光刻,保留一条氮化硅和二氧化硅介质膜,然后大面积腐蚀掉基片上的氮化硅和二氧化硅介质膜;6)用选择腐蚀方法,去掉铟镓砷层,磷化铟层和铟镓砷磷层;7)在磷化铟层上掩膜光刻,开出光栅窗口,保留有源区上的磷化铟层,腐蚀掉光栅窗口中的磷化铟层,然后大面积做均匀光栅;8)选择腐蚀磷化铟层,然后外延光栅盖层,和电极接触层;9)光刻出单脊形条,掩膜光刻电隔离沟,淀积二氧化硅层,在隔离沟处采用离子注入,形成高隔离电阻区;10)溅射P面电极和N面电极。 | ||
地址 | 100083北京市海淀区清华东路甲35号 |