发明名称 | 芯片引线框架 | ||
摘要 | 通过设置具有端的小片布置于基片表面上以便在小片和基片形成腔并在端和基片之间形成接触部来制造芯片引线框架。将化合物设置到所述表面,从而该化合物进入腔并在上基片表面上形成一层。该层可以向组件提供足够的刚性,其中可以蚀刻基片来制造引线框架。还揭示的是一种装置,它可以包括小片、引线框架和可以在引线框架上形成一层并填充和引线框架之间的腔的连续网络。 | ||
申请公布号 | CN1528014A | 申请公布日期 | 2004.09.08 |
申请号 | CN02814065.6 | 申请日期 | 2002.06.06 |
申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | 市川金也;熊本高志 |
分类号 | H01L21/48;H01L23/498;H01L21/56 | 主分类号 | H01L21/48 |
代理机构 | 上海专利商标事务所 | 代理人 | 李家麟 |
主权项 | 1.一种方法,其特征在于,包括;a)将具有端子的小片设置于导电基片的上表面上,从而在所述小片和所述基片之间形成腔并在所述端子和所述导电基片之间形成接触部;以及b)将所述导电基片蚀刻来产生导电引线。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |