| 发明名称 | 聚焦离子束(FIB)传感器电路 | ||
| 摘要 | 本电路可经由一电容(4)电容性激活一内存单元之驱动(擦拭，程序化及读取)，该电容系额外存在，并自内存单元(1)之驱动电路(2)与天线(3)隔离。在攻击情况下，电荷会积聚在天线上。此电容可防止电荷流失，俾产生之电压作用在内存单元上，因此其经历一电荷状态之对应改变，此举并可被侦出。此电容可以电路之随机电容器结构之方式实现。 | ||
| 申请公布号 | CN1528019A | 申请公布日期 | 2004.09.08 |
| 申请号 | CN02806203.5 | 申请日期 | 2002.02.15 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术股份公司 | 发明人 | H·塔德迪肯 |
| 分类号 | H01L23/58 | 主分类号 | H01L23/58 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;张志醒 |
| 主权项 | 1.一种供侦测一由FIB攻击之电路，其中有一内存单元(1)，其有一驱动电路(2)反一天线(3)连接至内存单元以侦测攻击，其特征为一电容(4)连接在内存(1)与驱动电路(2)之间，以将驱勤电路自天线(3)隔离。 | ||
| 地址 | 德国慕尼黑 | ||