| 发明名称 | 信息记录介质及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种信息记录介质及其制造方法，在基板(1)的表面上形成记录层(4)以及介质层(2)和(6)，记录层(4)通过照射光束或施加电能在晶相与非晶相之间产生相变，介质层(2)和(6)是例如由式(MO<SUB>2</SUB>)<SUB>N</SUB>(Cr<SUB>2</SUB>O<SUB>3</SUB>)<SUB>100－N</SUB>(摩尔％)(式中M仅为Hf或者Hf和Zr，20≤N≤80)所示的材料组成的Hf/Zr－Cr－O系材料层。根据本发明提供一种在记录层与介质层之间即使不设置界面层也能确保高可靠性和良好反复重写性能的信息记录介质。 | ||
| 申请公布号 | CN1527299A | 申请公布日期 | 2004.09.08 |
| 申请号 | CN200410002006.9 | 申请日期 | 2004.01.09 |
| 申请人 | 松下电器产业株式会社 | 发明人 | 儿岛理惠;西原孝史;山田升;土生田晴比古 |
| 分类号 | G11B7/24;G11B7/26;G11B11/00 | 主分类号 | G11B7/24 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 汪惠民 |
| 主权项 | 1.一种信息记录介质，所述信息记录介质是通过光的照射或施加电能来记录和/或再生信息的信息记录介质，其中具有含Hf或Hf和Zr作为第一金属成分、含Cr作为第二金属成分、此外还含O的Hf/Zr-Cr-O系材料层，所述Hf/Zr-Cr-O系材料层中所述第一金属成分含量在30原子％以下，所述第二金属成分的含量在7原子％以上37原子％以下。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||