绝缘体上半导体芯片及其制造方法

摘要

一种绝缘体上半导体(Semiconductor－On－Insulator)芯片及其制造方法，本发明提供平台隔离(MesaIsolation)设置于硅膜覆盖的绝缘体上半导体芯片的一部分上，用以隔离硅膜。本发明的隔离结构还可包含传统的隔离结构，例如浅沟渠隔离(Shallow Trench Isolation；STI)，借以隔离硅膜。此外，本发明还提供具有多重硅膜厚度的绝缘体上半导体芯片的隔离结构的制造方法。

主权项

1、一种绝缘体上半导体芯片，其包括覆盖于一绝缘层上一半导体层；位于该半导体层中具有一第一厚度的一第一区域；位于该半导体层中具有一第二厚度的一第二区域；且该第一区域至少包括若干个第一主动区，该第二区域至少包括若干个第二主动区，其特征在于：这些第一主动区通过一浅沟渠隔离法所定义出；以及这些第二主动区通过一平台隔离法所定义出。