发明名称 DISPOSITIF CAPTEUR DE PRESSION A SEMICONDUCTEUR
摘要 <P>Un dispositif capteur de pression à semiconducteur (100) a une structure à gel à remplissage complet incluant une puce de capteur (3) pour détecter une pression et générer un signal électrique correspondant. Cette puce de capteur est connectée à un élément conducteur (2) tel qu'une borne, en utilisant un fil de connexion (5). La puce de capteur et le fil de connexion sont recouverts par un élément protecteur (6) ayant des caractéristiques d'isolation électrique et de plasticité. Le fil de connexion (5) consiste en un alliage d'or et de palladium. Cette structure permet d'améliorer la résistance mécanique du fil de connexion sans augmenter fortement son diamètre par rapport à un fil classique.</P>
申请公布号 FR2851849(A1) 申请公布日期 2004.09.03
申请号 FR20040001904 申请日期 2004.02.25
申请人 DENSO CORPORATION 发明人 UENO MASATO;WATANABE YOSHIFUMI
分类号 G01L9/00;H01L23/057;H01L23/24;H01L29/84 主分类号 G01L9/00
代理机构 代理人
主权项
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