| 发明名称 |
Mehrlagiger Phasenübergangsspeicher |
| 摘要 |
A phase-change memory may be formed with at least two phase-change material layers separated by a barrier layer. The use of more than one phase-change layer enables a reduction in the programming volume while still providing adequate thermal insulation. |
| 申请公布号 |
DE10297115(T5) |
申请公布日期 |
2004.09.02 |
| 申请号 |
DE2002197115T |
申请日期 |
2002.08.20 |
| 申请人 |
INTEL CORPORATION, SANTA CLARA |
发明人 |
HUDGENS, STEPHEN J.;LOWREY, TYLER A.;KLERSY, PATRICK J. |
| 分类号 |
H01L29/861;H01L45/00;(IPC1-7):H01L45/00 |
主分类号 |
H01L29/861 |
| 代理机构 |
|
代理人 |
|
| 主权项 |
|
| 地址 |
|
