发明名称 MRAM MEMORY CELL
摘要 The invention relates to an MRAM memory cell in which the magnetic layers (ML1, ML2) separated by an intermediate layer (ZS) are made at least in part of a ferromagnetic material.
申请公布号 WO2004075197(A2) 申请公布日期 2004.09.02
申请号 WO2004EP50207 申请日期 2004.01.14
申请人 INFINEON TECHNOLOGIES AG;STAVROU, EVANGELOS;PROELL, MANFRED;SCHROEDER, STEPHAN;KLIEWER, JOERG 发明人 STAVROU, EVANGELOS;PROELL, MANFRED;SCHROEDER, STEPHAN;KLIEWER, JOERG
分类号 G11C11/15 主分类号 G11C11/15
代理机构 代理人
主权项
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