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Die vorliegende Erfindung betrifft eine Kupferbadzusammensetzung und ein Verfahren zur stromlosen und/oder elektrolytischen Plattierung von Kupfer zum Füllen von Durchkontaktierungen und Leiterbahnen während der Herstellung von integrierten Schaltkreisen. Insbesondere weist die Kupferbadzusammensetzung Wasser, Kupferionen, Hydroxidionen, ein Komplexierungsreagenz zur Unterdrückung der Bildung von Kupferoxiden, Kupferhydroxide und Kupfersalze, ein Stabilisator zur Kontrolle der stromlosen Kupferplattierungsrate, ein Reduktionsreagenz zur Beschleunigung der stromlosen Reduktion von Kupferionen zum Kupfermetall und ein Katalysator zur Beschleunigung der elektrolytischen Reduktion von Kupferionen zum Kupfermetall auf.
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